目前三星已开始向英伟达批量供货，存通该产品采用12层堆叠设计，过英工作伟达 来源：三星官方新闻 相比上一代HBM3能效提升约20%。认证三星表示，加速业内分析认为，负载为全球AI芯片供应链提供更多选择。部署HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，存通此举将打破SK海力士在HBM市场的过英工作垄断格局，单颗容量达36GB，伟达三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证认证测试，预计下半年搭载于H200及后续GPU中。加速数据传输速率高达9.6Gbps，负载通过优化热管理工艺和先进的部署硅通孔技术，显著降低延迟。存通将用于下一代AI加速器的关键内存栈。